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晶体管
SIHS36N50D-E3参考图片

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SIHS36N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
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数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.4092
484.092
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥39.7986
3979.86
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
SIHS36N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHS36N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN5130T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:25498
FJ3P02100L
Panasonic
晶体管
MOSFET 2.0x2.0mm PMCP Power MOSFET
1:¥8.4524
10:¥6.7122
100:¥4.5652
500:¥4.1923
7,000:¥2.9832
21,000:查看
参考库存:25501
BUK963R1-40E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:25504
2N4340
InterFET
晶体管
JFET N-Channel 50mA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:5028
CD8447DR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET QUAD CHANNEL VOLTAGE
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6498
参考库存:84896
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