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晶体管
CSD87335Q3D参考图片

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CSD87335Q3D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30v Powerblock N ch MOSFET
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库存:12,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5484
3774.2
2,500
¥5.8195
14548.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC, 10.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87335Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S, 107 S
下降时间
4 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns, 27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 8 ns
单位重量
67.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87335Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥269.9344
5:¥267.0981
10:¥248.9616
25:¥237.8198
参考库存:2059
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:1068
晶体管
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
1:¥8.5315
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:2222
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,009.592
30:¥1,937.1364
参考库存:31681
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1043
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