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晶体管
CSD18540Q5BT参考图片

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CSD18540Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
250
¥12.7577
3189.425
500
¥11.1418
5570.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
205 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18540Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
116 S
开发套件
BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18540Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
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10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
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20,000:查看
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1:¥2.9154
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1,000:¥0.56048
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1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
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1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:4455
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