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晶体管
SPB07N60C3参考图片

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SPB07N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C3
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库存：2,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.2942
8294.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP000013518 SPB07N60C3ATMA1 SPB7N6C3XT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPB07N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS0312AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥4.6895
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5707
参考库存:7751
NJW21193G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
1:¥30.4309
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:3656
2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:8769
FQB55N10TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.4469
800:¥9.5259
参考库存:4588
IRF830ASPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
参考库存:4074
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