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QST3TR

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP Vce 30V 5A
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7177
37.177
100
¥2.3956
239.56
1,000
¥1.921
1921
3,000
¥1.6159
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QST3
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 500 mA, 2 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QST3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
140:¥102.8074
250:¥93.7448
500:¥87.6767
1,000:¥80.456
参考库存:36246
JAN2N5109UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,378.5096
参考库存:36249
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