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晶体管
VS-ETF150Y65N参考图片

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VS-ETF150Y65N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
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库存:36,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.3379
543.3379
5
¥532.5803
2662.9015
10
¥510.2967
5102.967
25
¥493.8552
12346.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
201 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
EMIPAK-2B
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-ETF150Y65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
1:¥2.6894
10:¥2.3843
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
参考库存:5608
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.8366
800:¥7.2659
参考库存:1477
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 1kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:7194
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:4828
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
2,500:¥7.1303
参考库存:10698
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