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晶体管
VS-ETF150Y65N参考图片

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VS-ETF150Y65N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
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库存:36,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.3379
543.3379
5
¥532.5803
2662.9015
10
¥510.2967
5102.967
25
¥493.8552
12346.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
201 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
EMIPAK-2B
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-ETF150Y65N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W
1:¥41.4936
10:¥37.0414
100:¥33.7305
250:¥30.4309
参考库存:2511
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:4463
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:2500
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:3932
晶体管
MOSFET MOSFET - 80V LFPAK - Lead Free
1:¥22.3627
10:¥20.2044
25:¥18.0574
100:¥16.2155
2,500:¥9.6841
5,000:查看
参考库存:2894
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