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晶体管
BD138G参考图片

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BD138G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 60V 12.5W PNP
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库存:2,894(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6725
36.725
100
¥2.2487
224.87
1,000
¥1.7289
1728.9
2,500
¥1.4803
3700.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD138
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格,BD138G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
参考库存:14416
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:14418
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.9048
2,000:¥12.1362
4,000:查看
参考库存:18620
晶体管
JFET JFET P-Channel
107:¥61.3929
500:¥55.935
1,000:¥48.7143
参考库存:18623
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥8.2264
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
5,000:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:9426
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