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晶体管
HFA3046BZ参考图片

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HFA3046BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.5456
645.456
50
¥61.5511
3077.555
100
¥53.4829
5348.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3046
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-14
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
8.65 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.9 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3046BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
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1,000:¥3.7064
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A PNP medium power transistors
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.7684
参考库存:6505
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3732
100:¥4.9155
500:¥4.3392
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:5513
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg
1:¥4.6895
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
4,000:¥2.034
参考库存:11451
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:8157
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