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晶体管
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FF900R12IE4

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库存:3,116(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,799.2747
3799.2747
5
¥3,570.2915
17851.4575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5.1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IE4BOSA1 SP000614712
商品其它信息
优势价格,FF900R12IE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:10162
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
5,000:¥3.3222
10,000:查看
参考库存:11703
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
2,000:¥2.9719
参考库存:8237
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
参考库存:4404
晶体管
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:4319
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