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晶体管
QPD1015参考图片

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QPD1015

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
500:¥13.0628
参考库存:3903
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:6224
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:5636
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9893
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5201
3,000:¥6.5201
参考库存:20037
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
5,000:¥3.4578
参考库存:27326
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