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晶体管
APT85GR120J参考图片

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APT85GR120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
595 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT85GR120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥1.5368
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:42870
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
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晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
82:¥87.4394
100:¥80.456
250:¥73.3822
500:¥68.5458
参考库存:42876
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