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晶体管
STP160N3LL参考图片

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STP160N3LL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:3,305(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4241
74.241
100
¥5.7065
570.65
500
¥5.0398
2519.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP160N3LL
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H6
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP160N3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
4,000:¥4.3279
参考库存:7549
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
700:¥2.5764
2,100:¥2.1809
参考库存:6595
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5435
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
4,000:¥4.1584
8,000:查看
参考库存:8780
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:8501
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