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晶体管
SI7232DN-T1-GE3参考图片

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SI7232DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:12,074(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.6387
56.387
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.5369
1768.45
3,000
¥3.5369
10610.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
16.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7232DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7232DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 55V 100Amp N channel Mosfet
1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.5258
1,000:¥5.9438
参考库存:6115
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
5,000:¥2.7459
10,000:¥2.6329
25,000:¥2.5538
参考库存:22736
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
1:¥4.6895
10:¥3.9098
100:¥2.5199
1,000:¥2.0227
3,000:¥1.7063
参考库存:6983
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.6785
参考库存:2628
晶体管
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm
1:¥6.8365
10:¥5.3223
100:¥4.6669
500:¥4.1697
1,000:¥2.7572
3,000:¥2.7572
参考库存:22743
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