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晶体管
DN1509K1-G参考图片

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DN1509K1-G

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET 90V Depletion Mode
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库存:5,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥4.3618
43.618
25
¥3.7177
92.9425
100
¥3.3222
332.22
3,000
¥3.3222
9966.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
90 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
3.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
490 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6.300 mg
商品其它信息
优势价格,DN1509K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
参考库存:2538
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30305
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:30308
晶体管
达林顿晶体管 DARLINGTON 100V 8A Bipolar SM Trans
2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:30311
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:30314
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