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晶体管
STGF5H60DF参考图片

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STGF5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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库存:27,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9551
595.51
500
¥5.2658
2632.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
24 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF5H60DF
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
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