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晶体管
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STGF5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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9.0626
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9551
595.51
500
¥5.2658
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
24 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF5H60DF
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGF5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3J129TU(T5L,T)
Toshiba
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1,000:¥0.68365
参考库存:46042
FSAM15SH60A
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暂无价格
参考库存:46045
SMBT3904E6327XT
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1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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