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晶体管
GS66508T-E02-MR参考图片

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GS66508T-E02-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:3,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.865
124.865
10
¥120.8648
1208.648
25
¥115.1809
2879.5225
250
¥106.9658
26741.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
7 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66508T-E02-MR
商品其它信息
优势价格,GS66508T-E02-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.6555
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.486
参考库存:32078
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:32081
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:32084
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
2,500:¥8.2264
5,000:¥7.91
10,000:¥7.6614
参考库存:32087
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
参考库存:32090
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