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晶体管

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APT50GR120B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:2,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.0552
87.0552
10
¥79.1452
791.452
25
¥73.1562
1828.905
50
¥69.2351
3461.755
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
117 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
694 W
封装 / 箱体
TO-247-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,APT50GR120B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:17353
晶体管
MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
1:¥108.1184
10:¥99.4287
25:¥95.2816
100:¥83.9816
参考库存:3975
晶体管
MOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:6534
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥9.0626
参考库存:14094
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥84.8291
10:¥77.1451
25:¥71.303
50:¥67.461
参考库存:35711
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