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晶体管
TK4R3E06PL,S1X参考图片

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TK4R3E06PL,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
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数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
106 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48.2 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TK4R3E06PL,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-40LR
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
参考库存:19381
DMP3008SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
暂无价格
参考库存:19384
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥42.036
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.3574
3,000:¥21.0519
参考库存:19387
NTMFS4C09NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
5,000:¥1.6046
参考库存:19390
IFN112
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:19393
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