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晶体管
NXH160T120L2Q2F2SG参考图片

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NXH160T120L2Q2F2SG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 模块 PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
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库存:1,511(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,034.4924
1034.4924
5
¥1,014.2089
5071.0445
10
¥966.9523
9669.523
25
¥946.5897
23664.7425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Split-T
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压
1.47 V, 2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A, 160 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA, 500 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
Q2PACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
ON Semiconductor
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NXH160T120L2Q2F2SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:31681
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:31684
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
500:¥29.8094
1,000:¥25.9674
2,500:¥25.0521
参考库存:31687
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:31690
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.825
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:31693
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