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晶体管
SSM6P36FE,LM参考图片

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SSM6P36FE,LM

  • Toshiba
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  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.277
32.77
100
¥1.09836
109.836
1,000
¥0.83733
837.33
4,000
¥0.70738
2829.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
330 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6P36
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6P36FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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