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晶体管
IPB026N06NATMA1参考图片

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IPB026N06NATMA1

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库存:3,629(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
1,000
¥9.4468
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB026N06N IPB26N6NXT SP000962142
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB026N06NATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5313
500:¥4.0002
3,000:¥2.8024
9,000:查看
参考库存:7186
晶体管
MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:7208
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
参考库存:5198
晶体管
MOSFET MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
2,500:¥2.4973
参考库存:8664
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:7346
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