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晶体管
CSD23285F5参考图片

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CSD23285F5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-CHANNEL FEMTOFET
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库存:10,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD23285F5
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8.9 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23285F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24517
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2659
参考库存:4387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
参考库存:24522
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24525
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6915
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