您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
QPD1017参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

QPD1017

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:37,770(价格仅供参考)
数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1017的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.0626
10:¥7.458
100:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:6351
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual U-Mini Schottky 40Vrrm 200If 250mW
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:12080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:6638
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:3955
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们