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晶体管
TPCC8102(TE12L,Q,M参考图片

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TPCC8102(TE12L,Q,M

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET -30V -15A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
33.2 mOhms
配置
Single
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPCC8102
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,TPCC8102(TE12L,Q,M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
2,500:¥10.5316
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:7818
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS
1:¥7.0738
10:¥6.0568
100:¥4.6443
500:¥4.1132
5,000:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:6545
晶体管
MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:7552
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥133.5434
10:¥122.7858
25:¥117.7234
100:¥103.6549
参考库存:1699
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