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晶体管
CSD18514Q5A参考图片

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CSD18514Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:13,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5821
358.21
1,000
¥2.8702
2870.2
2,500
¥2.599
6497.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18514Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18514Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V NPN
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
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射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
参考库存:3966
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥117.6443
5:¥113.0339
10:¥108.8077
25:¥99.9711
参考库存:4007
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:6840
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
参考库存:10882
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