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晶体管
IFCM20T65GDXKMA1参考图片

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IFCM20T65GDXKMA1

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数量单价合计
1
¥106.8867
106.8867
10
¥98.2761
982.761
25
¥94.2081
2355.2025
100
¥82.9872
8298.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
2-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
52.3 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM20T65GD SP001333972
商品其它信息
优势价格,IFCM20T65GDXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:16944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
参考库存:8742
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.3901
1,500:¥3.7629
9,000:查看
参考库存:16949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:16952
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2998
3,000:¥5.6274
6,000:查看
参考库存:5755
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