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IFCM20T65GDXKMA1

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数量单价合计
1
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10
¥98.2761
982.761
25
¥94.2081
2355.2025
100
¥82.9872
8298.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
2-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
52.3 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM20T65GD SP001333972
商品其它信息
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