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晶体管
IFCM20T65GDXKMA1参考图片

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IFCM20T65GDXKMA1

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库存:4,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥106.8867
106.8867
10
¥98.2761
982.761
25
¥94.2081
2355.2025
100
¥82.9872
8298.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
2-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
52.3 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM20T65GD SP001333972
商品其它信息
优势价格,IFCM20T65GDXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:25378
晶体管
达林顿晶体管 15A 150V Bipolar Power PNP
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:4493
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4438
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:13021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20206
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