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晶体管
IFCM20T65GDXKMA1参考图片

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IFCM20T65GDXKMA1

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数量单价合计
1
¥106.8867
106.8867
10
¥98.2761
982.761
25
¥94.2081
2355.2025
100
¥82.9872
8298.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
2-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
52.3 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM20T65GD SP001333972
商品其它信息
优势价格,IFCM20T65GDXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:4602
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A
1:¥294.3763
5:¥287.8449
10:¥274.703
25:¥263.177
参考库存:4619
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
3,000:¥5.8421
参考库存:8105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.0566
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:8655
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