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晶体管
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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¥6,170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1025L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 22 mo FET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
1,500:¥3.0736
参考库存:4861
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4531
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
3,000:¥2.825
参考库存:2096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 0.47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:18455
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