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晶体管
STGWT20HP65FB参考图片

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STGWT20HP65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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库存:5,150(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2045
22.2045
10
¥18.8258
188.258
100
¥15.0629
1506.29
500
¥13.221
6610.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20HP65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWT20HP65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.3053
10:¥3.2657
100:¥2.4182
500:¥1.9888
3,000:¥1.4012
6,000:查看
参考库存:10706
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:28104
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17715
晶体管
JFET N-Ch amplifier Lo Freq/Lo Noise
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99101
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:34499
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:8987
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