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晶体管
STW37N60DM2AG参考图片

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STW37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:4,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:5672
晶体管
MOSFET PMN30UN/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *S
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.88366
参考库存:9291
晶体管
MOSFET 60V N ch MOSFET
1:¥32.1146
10:¥28.815
100:¥23.5944
250:¥22.1254
参考库存:4991
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.36838
24,000:查看
参考库存:11861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN DIGITAL TRANSIST
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.32318
24,000:查看
参考库存:19867
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