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晶体管
STGD4M65DF2参考图片

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STGD4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD4M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24517
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2659
参考库存:4387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
参考库存:24522
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24525
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6915
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