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晶体管
STGD4M65DF2参考图片

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STGD4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:5,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD4M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 2.5A N-Channel
1:¥3.4578
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:15372
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3843
1,000:¥1.8532
4,000:¥1.5707
参考库存:6941
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
参考库存:5678
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
9,000:¥0.62263
18,000:查看
参考库存:17111
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:26202
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