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晶体管
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STGD4M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.6103
6525.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD4M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGD4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:4678
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:4721
STB46NF30
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
1,000:¥15.9782
2,000:查看
参考库存:5585
STU85N3LH5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 30V
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:19918
ULN2803A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
参考库存:36260
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