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晶体管
MRFE6VP6300HSR5参考图片

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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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数量单价合计
50
¥733.9802
36699.01
100
¥682.6443
68264.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1,500:¥3.9211
2,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:32244
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1,280:¥2.4747
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.0905
10,000:¥2.0114
参考库存:32247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.60681
45,000:¥0.53788
参考库存:32250
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥55.0197
480:¥52.5563
720:¥47.8668
1,200:¥41.7196
参考库存:32253
晶体管
MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:4503
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