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晶体管
CSD19536KTTT参考图片

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CSD19536KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:3,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥34.804
348.04
50
¥34.804
1740.2
100
¥28.5099
2850.99
250
¥26.7358
6683.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
272 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
329 S
下降时间
6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19536KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1471
250:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:3670
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:2383
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:32028
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A IGBT
1:¥627.0144
5:¥607.6462
10:¥587.826
25:¥568.2318
50:¥560.4687
参考库存:1389
晶体管
MOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
2,500:¥6.9269
5,000:查看
参考库存:1927
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