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晶体管
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CSD17522Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
2,500
¥3.6386
9096.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
12.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17522Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17522Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pF
1:¥31.9677
10:¥28.589
100:¥26.0465
250:¥23.5153
参考库存:3682
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥393.9632
5:¥372.674
10:¥368.4478
25:¥340.7854
参考库存:3297
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥114.6498
10:¥105.429
25:¥101.0446
100:¥89.0553
2,000:¥65.6191
参考库存:4238
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥14.6787
10:¥12.2153
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8591
2,000:¥6.8591
参考库存:5292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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