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晶体管
CSD19532KTTT参考图片

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CSD19532KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:3,227(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.9048
169.048
50
¥16.9048
845.24
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel MOSFET
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19532KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad P-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:4060
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:17742
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:179304
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
1:¥67.6983
10:¥61.1669
25:¥58.3193
100:¥50.6353
参考库存:4176
晶体管
MOSFET N Ch 500V 0.98 OHM 5.6A
1:¥8.9948
10:¥7.6275
100:¥5.8534
500:¥5.1754
参考库存:6288
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