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晶体管
FSB660A参考图片

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FSB660A

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
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库存:5,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.99892
998.92
3,000
¥0.86106
2583.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SuperSOT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
75 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FSB660A
直流电流增益 hFE 最大值
550
高度
0.94 mm
长度
2.92 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
FSB660A_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FSB660A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:2099
晶体管
MOSFET BUK9K17-60E/LFPAK56D/REEL 7" Q
1:¥7.91
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,000:¥3.6386
1,500:¥3.6386
参考库存:5772
晶体管
MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥50.6353
10:¥45.4938
100:¥37.3465
250:¥35.0413
500:¥31.8095
参考库存:1619
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥53.4038
10:¥48.3301
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:1616
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
参考库存:1970
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