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晶体管
FDMD8540L参考图片

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FDMD8540L

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库存:5,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.6734
5418.35
3,000
¥15.594
46782
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms, 2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC, 81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMD8540L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
178 S, 178 S
下降时间
14 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns, 13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns, 51 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 15 ns
单位重量
94.850 mg
商品其它信息
优势价格,FDMD8540L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:58266
晶体管
MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2659
3,000:¥7.2659
参考库存:7334
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
1,000:¥25.8996
2,000:查看
参考库存:5779
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.6622
参考库存:4398
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:3448
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