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晶体管

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DMN61D9UWQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.73789
73.789
1,000
¥0.56839
568.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
340 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
400 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
440 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
8.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.4 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN61D9UWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
1:¥8.2264
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8025
4,000:¥3.3674
8,000:查看
参考库存:7257
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:3575
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
1:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥16.0573
250:¥15.2098
参考库存:6518
晶体管
MOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIV
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
5,000:¥1.11418
参考库存:9941
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:15760
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