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晶体管
IPB030N08N3 G参考图片

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IPB030N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:8,721(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.1312
25.1312
10
¥21.357
213.57
100
¥18.4416
1844.16
250
¥17.515
4378.75
1,000
¥13.2888
13288.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB030N08N3GATMA1 IPB3N8N3GXT SP000444100
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB030N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
500:¥13.0628
参考库存:3903
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:6224
晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:5636
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9893
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5201
3,000:¥6.5201
参考库存:20037
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
5,000:¥3.4578
参考库存:27326
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