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晶体管
FF600R12ME4EB11BOSA1参考图片

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FF600R12ME4EB11BOSA1

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库存:2,189(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,906.2422
1906.2422
5
¥1,860.3755
9301.8775
10
¥1,814.1924
18141.924
25
¥1,788.7561
44718.9025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Common Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
15 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001671626
商品其它信息
优势价格,FF600R12ME4EB11BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:51635
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥16.4415
10:¥13.673
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.6049
参考库存:3952
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.3734
参考库存:7863
晶体管
MOSFET 400V N-Channel
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:3546
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:11791
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