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晶体管
TPN13008NH,L1Q参考图片

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TPN13008NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET
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库存:10,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5765
457.65
500
¥4.0454
2022.7
5,000
¥2.8363
14181.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN13008NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,TPN13008NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥129.5545
5:¥124.5599
10:¥119.8704
25:¥110.1072
参考库存:18687
晶体管
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1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,500:¥3.3787
9,000:查看
参考库存:18690
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RF Transistor
3,000:¥1.8419
参考库存:18693
晶体管
MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:18696
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:7392
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