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晶体管
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MRF137

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
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1
¥230.5991
230.5991
10
¥227.1413
2271.413
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥2.9945
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1,000:¥0.63732
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.2147
20,000:查看
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双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
1:¥2.9154
10:¥1.9549
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1,000:¥0.56048
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:153170
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:4455
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