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晶体管
STF9HN65M2参考图片

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STF9HN65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
11.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF9HN65M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
14.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF9HN65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥5.4579
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100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
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1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:3916
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