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晶体管
STGD20N45LZAG参考图片

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STGD20N45LZAG

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,221(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.25 V
栅极/发射极最大电压
16 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD20N45LZAG
资格
AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD20N45LZAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:27890
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 13A 3PIN
1,000:¥13.9894
2,000:¥13.2888
5,000:¥12.8368
参考库存:27893
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
5,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:27896
晶体管
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
1:¥6.5314
10:¥5.198
100:¥3.955
500:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.3617
参考库存:7572
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:27901
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