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晶体管
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FF400R12KT3P_E

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1
¥1,394.2618
1394.2618
5
¥1,360.6782
6803.391
10
¥1,326.9477
13269.477
25
¥1,308.3592
32708.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
-
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KT3PEHOSA1 SP001232116
单位重量
340 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
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参考库存:42123
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