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晶体管
TK50E10K3(S1SS-Q)参考图片

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TK50E10K3(S1SS-Q)

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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK50E10K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK50E10K3(S1SS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥140.0748
5:¥134.6282
10:¥129.5545
25:¥119.102
参考库存:19455
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS)
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:19458
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
暂无价格
参考库存:19461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:25264
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,500:¥10.0683
4,500:查看
参考库存:19466
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