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晶体管
BSC265N10LSFGATMA1参考图片

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BSC265N10LSFGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:3,829(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.7968
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC265N10LSF BSC265N1LSFGXT G SP000379618
单位重量
120.700 mg
商品其它信息
优势价格,BSC265N10LSFGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥14.5996
10:¥11.752
100:¥10.5994
500:¥8.2264
1,000:¥8.1473
参考库存:5536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6894
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.43844
参考库存:27567
晶体管
MOSFET N-Ch 800V PFC FET 17.nC 2.2Ohm 48W
1:¥11.30
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:5042
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:7911
晶体管
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.5098
500:¥23.7413
参考库存:4360
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