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晶体管
IKB10N60TATMA1参考图片

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IKB10N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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库存:2,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB10N60T IKB1N6TXT SP000014833
商品其它信息
优势价格,IKB10N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:6754
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
1:¥41.6518
10:¥35.4255
100:¥30.6569
250:¥29.1201
1,000:¥22.0576
2,000:查看
参考库存:5714
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
500:¥13.673
800:¥13.673
参考库存:6961
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 6PIN
1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:9738
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.1811
500:¥4.7912
3,000:¥3.4239
6,000:查看
参考库存:9976
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