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晶体管
MRF101BN参考图片

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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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库存:1,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
优势价格,MRF101BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.3843
参考库存:9046
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:7048
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
参考库存:5350
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:18252
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A
5,000:¥3.7516
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:18255
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