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晶体管
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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
优势价格,MRF101BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:34961
晶体管
MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
1:¥35.6515
10:¥30.2727
100:¥26.2838
250:¥24.8939
参考库存:2793
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.7459
100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:8793
晶体管
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:15195
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
45,000:查看
参考库存:47797
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