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晶体管
MRF101BN参考图片

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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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库存:1,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
优势价格,MRF101BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
3,000:¥1.5481
参考库存:8873
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:3941
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:4898
晶体管
MOSFET N-CH 40 V 75 A
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:17026
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥22.5887
10:¥19.21
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:4176
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