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晶体管

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2SC5949-R(Q)

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 200V 15A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5949
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
55 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
220000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SC5949-R(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
3,000:¥2.1357
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