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产品分类

晶体管
SQ2319ADS-T1_GE3参考图片

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SQ2319ADS-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:79,979(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.9946
49.946
100
¥3.8872
388.72
500
¥2.9154
1457.7
1,000
¥2.3504
2350.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2319ADS-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:4636
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥3.0736
10:¥2.1922
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
2,000:¥0.66105
参考库存:10212
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:3654
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4454
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:11136
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